碳化硅(SiC)
，这种宽能隙的半导体组件可用于打造更优质的晶体管
，取代当今的硅功率晶体管
，并与二极管共同搭配
，提供最低温度、最高频率的功率组件。 SiC晶体管所产生的热也比硅功率晶体管更低30%
，然而
，它的成本至今依然比硅更高5倍。

为了降低SiC的造作成本
，美国北卡罗莱纳州立大学的钻研人员设计了一种PRESiCE工艺
，并搭配TI X-Fab实现低成本的SiC功率MOSFET,日前于美国华府进行的2017年碳化硅及有关资料国际会议(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials；ICSCRM 2017)颁发技术细节。

为了寻找低成本授权的工艺以降低这些阻碍
，Baliga及其钻研团队设计了一种“造作SiC电子组件之工程工艺”(Process Engineered for Manufacturing SiC Electronic-devices；PRESiCE)
，并选取德州仪器(Texas Instruments ；TI)的X-Fab来实现。

GA黄金甲http://www.nexteck.com/供给多种元素合金（CuNi1,CuNi2,CuNi6,CuNi10,CuNi15,SiC）

凭据Baliga
，PRESTICE并不只是一种开发SiC工艺的低成本代替步骤
，它也比传统的专有工艺更有效率。降低授权成本将有助于让更多的业者参与市场竞争
，从而提高SiC的产量。反过来说
，这也不成预防线会降低SiC的价值
，或许还会降低到只比硅的价值多50%。

SiC功率组件除了可作业于较低的温度下
，也能够在更高的频率下切换
，从而让功率电子产品得以使用较幼的电容、电感和其他被动组件
，最终使得设计人员能在更幼的空间中封装更多组件
，而仍使其维持轻量纤薄。 Baliga说
，PRESiCE工艺能实现较高产量
，并严格节造产出SiC组件的个性。

编译：Susan Hong

文章来自《EET电子工程专辑》